casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGW201610GL4R7MLE
Número da peça de fabricante | CIGW201610GL4R7MLE |
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Número da peça futura | FT-CIGW201610GL4R7MLE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGW |
CIGW201610GL4R7MLE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 4.7µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.4A |
Atual - saturação | 1.4A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 240 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGW201610GL4R7MLE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGW201610GL4R7MLE-FT |
CIG22H1R2MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R5MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H1R5MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H2R2MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H3R3MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22H3R3MNE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22HR33MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22HR47MAE
Samsung Electro-Mechanics
CIG22HR56MAE
Samsung Electro-Mechanics
EP2C5T144C8N
Intel
XC6VLX75T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A3P250-FGG256T
Microsemi Corporation
AT40K10AL-1EQC
Microchip Technology
AT40K05-2RQC
Microchip Technology
5SGXMA5K3F40I3LN
Intel
LFE2M20SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H4F34I3LG
Intel
EP2AGX65CU17C6ES
Intel