casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CIGT252008LM2R2MNE
Número da peça de fabricante | CIGT252008LM2R2MNE |
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Número da peça futura | FT-CIGT252008LM2R2MNE |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CIGT |
CIGT252008LM2R2MNE Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 2A |
Atual - saturação | 2.1A |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 97 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1008 (2520 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1008 (2520 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.032" (0.80mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CIGT252008LM2R2MNE Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CIGT252008LM2R2MNE-FT |
CIH05T6N8JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05TR10JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T22NJNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T2N7SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N3SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T8N2JNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N0SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T3N9SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T5N6SNC
Samsung Electro-Mechanics
CIH05T68NJNC
Samsung Electro-Mechanics
LFE2-6E-7T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-1FT256I
Xilinx Inc.
A54SX72A-2FG484I
Microsemi Corporation
LFE2-70E-5F900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K300EFI672-2X
Intel
5SGXEA7K2F40C2L
Intel
5AGXBA3D4F27C4N
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4VLX40-11FF1148I
Xilinx Inc.
LFE3-70E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation