casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / CI201210-8N2J
Número da peça de fabricante | CI201210-8N2J |
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Número da peça futura | FT-CI201210-8N2J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CI201210 |
CI201210-8N2J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Ceramic |
Indutância | 8.2nH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 300mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 280 mOhm Max |
Q @ Freq | 10 @ 100MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 2.2GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 100°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CI201210-8N2J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CI201210-8N2J-FT |
CM252016-4R7KL
Bourns Inc.
CM252016-560KL
Bourns Inc.
CM252016-56NKL
Bourns Inc.
CM252016-5R6JL
Bourns Inc.
CM252016-5R6KL
Bourns Inc.
CM252016-680KL
Bourns Inc.
CM252016-68NKL
Bourns Inc.
CM252016-6R8KL
Bourns Inc.
CM252016-820KL
Bourns Inc.
CM252016-82NKL
Bourns Inc.
LCMXO2-2000HE-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A3PN060-VQG100
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C9LN
Intel
10M25DAF256I7P
Intel
EP1C12F256C7
Intel
10M04SCU169C8G
Intel
5SGXMA9K2H40I2LN
Intel
5SGXEA7H1F35C2N
Intel