casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / CDBD2SC21200-G
Número da peça de fabricante | CDBD2SC21200-G |
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Número da peça futura | FT-CDBD2SC21200-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
CDBD2SC21200-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 6.2A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 2A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacitância @ Vr, F | 136pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263 (D2Pak) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBD2SC21200-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CDBD2SC21200-G-FT |
CDBMT280-HF
Comchip Technology
CFRMT101-HF
Comchip Technology
CFRMT102-HF
Comchip Technology
CFRMT103-HF
Comchip Technology
CFRMT106-HF
Comchip Technology
CGRMT4001-HF
Comchip Technology
CGRMT4002-HF
Comchip Technology
CGRMT4003-HF
Comchip Technology
CGRMT4006-HF
Comchip Technology
CSFMT101-HF
Comchip Technology
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel