casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / CDBD2080-G
Número da peça de fabricante | CDBD2080-G |
---|---|
Número da peça futura | FT-CDBD2080-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
CDBD2080-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 20A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 80V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBD2080-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CDBD2080-G-FT |
1SS184S,LF(D
Toshiba Semiconductor and Storage
201CMQ045PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
203CNQ100R
Vishay Semiconductor Diodes Division
203DMQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
203DMQ100PBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
203DNQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
400DMQ045
Vishay Semiconductor Diodes Division
403DMQ100
Vishay Semiconductor Diodes Division
5962-1621001QXC
Microsemi Corporation
5962-1621001VXC
Microsemi Corporation
LFE2-6E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-5FG256C
Xilinx Inc.
EP4CE15F23C7
Intel
5SGXMA7N3F40I4N
Intel
5SGXEABK2H40C2L
Intel
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation
EP3CLS70F780C8
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel