casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / CDBD1040-G
Número da peça de fabricante | CDBD1040-G |
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Número da peça futura | FT-CDBD1040-G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
CDBD1040-G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 40V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 125°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBD1040-G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CDBD1040-G-FT |
MBR2045CT-E1
Diodes Incorporated
MBR20H100CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR20H100CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR30100CT-BP
Micro Commercial Co
MBR30100CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR3045CTF-E1
Diodes Incorporated
MBR3045CTF-G1
Diodes Incorporated
MBR30H100CT-E1
Diodes Incorporated
MBR30H100CTF-G1
Diodes Incorporated
PD410611
Powerex Inc.
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel