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Número da peça de fabricante | CBL2012T2R2M |
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Número da peça futura | FT-CBL2012T2R2M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CB, L Type |
CBL2012T2R2M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 590mA |
Atual - saturação | 440mA |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 507 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 80MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBL2012T2R2M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CBL2012T2R2M-FT |
LBC2016T470K
Taiyo Yuden
LBC2016T470M
Taiyo Yuden
LBC2016T680K
Taiyo Yuden
LBC2016T680M
Taiyo Yuden
LBC2016T6R8M
Taiyo Yuden
LBM2016T100J
Taiyo Yuden
LBM2016T100JV
Taiyo Yuden
LBM2016T101JV
Taiyo Yuden
LBM2016T120J
Taiyo Yuden
LBM2016T120JV
Taiyo Yuden
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel