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Número da peça de fabricante | CB2016T3R3M |
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Número da peça futura | FT-CB2016T3R3M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CB |
CB2016T3R3M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 3.3µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 800mA |
Atual - saturação | 400mA |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 260 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 55MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.071" (1.80mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CB2016T3R3M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CB2016T3R3M-FT |
LBC2518T221MV
Taiyo Yuden
LBC2518T2R2M
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LBC2518T2R2MV
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LBC2518T331M
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XC4VFX100-10FF1517C
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325C
Xilinx Inc.
LAXP2-17E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP4CE10F17I8LN
Intel
5SGXEA7K3F40C2
Intel
XC7V2000T-1FHG1761C
Xilinx Inc.
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2X
Intel