casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / CAV25010VE-GT3

| Número da peça de fabricante | CAV25010VE-GT3 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-CAV25010VE-GT3 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | Automotive, AEC-Q100 |
| CAV25010VE-GT3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de memória | Non-Volatile |
| Formato de memória | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Tamanho da memória | 1Kb (128 x 8) |
| Freqüência do relógio | 10MHz |
| Escrever tempo de ciclo - Word, página | 5ms |
| Tempo de acesso | - |
| Interface de memória | SPI |
| Tensão - fonte | 2.5V ~ 5.5V |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOIC |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| CAV25010VE-GT3 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | CAV25010VE-GT3-FT |

R1LV0808ASB-5SI#S0
Renesas Electronics America

R1LV0808ASB-7SI#B0
Renesas Electronics America

R1LV0808ASB-7SI#S0
Renesas Electronics America

R1LV0816ASB-5SI#B0
Renesas Electronics America

R1LV0816ASB-5SI#S0
Renesas Electronics America

R1LV0816ASB-7SI#B0
Renesas Electronics America

R1LV0816ASB-7SI#S0
Renesas Electronics America

R1RW0416DSB-2PI#D0
Renesas Electronics America

R1RW0416DSB-2PI#D1
Renesas Electronics America

RMLV0414EGSB-4S2#HA0
Renesas Electronics America

XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.

XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.

XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.

EPF10K200SFC672-3
Intel

EP4CGX150CF23I7
Intel

LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation

EP2SGX130GF40C5NES
Intel

10AX048E2F29I1SG
Intel

10AX016E3F27E1HG
Intel

EP20K60EFC324-2
Intel