casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / CAV24C16WE-GT3

| Número da peça de fabricante | CAV24C16WE-GT3 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-CAV24C16WE-GT3 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | Automotive, AEC-Q100 |
| CAV24C16WE-GT3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo de memória | Non-Volatile |
| Formato de memória | EEPROM |
| Tecnologia | EEPROM |
| Tamanho da memória | 16Kb (2K x 8) |
| Freqüência do relógio | 400kHz |
| Escrever tempo de ciclo - Word, página | 5ms |
| Tempo de acesso | 900ns |
| Interface de memória | I²C |
| Tensão - fonte | 2.5V ~ 5.5V |
| Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOIC |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| CAV24C16WE-GT3 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | CAV24C16WE-GT3-FT |

RMLV0808BGSB-4S2#HA0
Renesas Electronics America

RMLV0414EGSB-4S2#AA0
Renesas Electronics America

M68AW256ML70ND6T
STMicroelectronics

M68AW512ML70ND6
STMicroelectronics

R1LV0216BSB-5SI#B0
Renesas Electronics America

R1LV0216BSB-5SI#S0
Renesas Electronics America

R1LV0216BSB-7SI#B0
Renesas Electronics America

R1LV0808ASB-5SI#B0
Renesas Electronics America

R1LV0808ASB-5SI#S0
Renesas Electronics America

R1LV0808ASB-7SI#B0
Renesas Electronics America

A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation

LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation

XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.

XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.

XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.

5CEBA9F27C7N
Intel

5SGXEA5H1F35I2N
Intel

LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation

5AGXMA3D4F31I3G
Intel

EPF10K30AQC208-1N
Intel