casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / CAV24C16WE-GT3
Número da peça de fabricante | CAV24C16WE-GT3 |
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Número da peça futura | FT-CAV24C16WE-GT3 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q100 |
CAV24C16WE-GT3 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Tamanho da memória | 16Kb (2K x 8) |
Freqüência do relógio | 400kHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 5ms |
Tempo de acesso | 900ns |
Interface de memória | I²C |
Tensão - fonte | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SOIC |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAV24C16WE-GT3 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | CAV24C16WE-GT3-FT |
RMLV0808BGSB-4S2#HA0
Renesas Electronics America
RMLV0414EGSB-4S2#AA0
Renesas Electronics America
M68AW256ML70ND6T
STMicroelectronics
M68AW512ML70ND6
STMicroelectronics
R1LV0216BSB-5SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0216BSB-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0216BSB-7SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0808ASB-5SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0808ASB-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0808ASB-7SI#B0
Renesas Electronics America
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel