casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / C4D30120D
Número da peça de fabricante | C4D30120D |
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Número da peça futura | FT-C4D30120D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Z-Rec® |
C4D30120D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 21.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 15A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C4D30120D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | C4D30120D-FT |
MBR40020CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR40030CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR40030CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR40035CTL
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MBR40035CTRL
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MBR40040CTL
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MBR40040CTRL
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MBR40045CTL
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MBR60020CTL
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XC6SLX45-2CSG484I
Xilinx Inc.
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5SGSMD3H2F35C3N
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