casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / C4D02120E-TR
Número da peça de fabricante | C4D02120E-TR |
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Número da peça futura | FT-C4D02120E-TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Z-Rec® |
C4D02120E-TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 2A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacitância @ Vr, F | 167pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252-2 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C4D02120E-TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | C4D02120E-TR-FT |
RS2BA-13-F
Diodes Incorporated
RS2KA-13-F
Diodes Incorporated
S2KA-13-F
Diodes Incorporated
B1100-13
Diodes Incorporated
B120-13
Diodes Incorporated
B130-13
Diodes Incorporated
B130L-13
Diodes Incorporated
B140-13
Diodes Incorporated
B150-13
Diodes Incorporated
B160-13
Diodes Incorporated
XC4010XL-1TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-N3FG900C
Xilinx Inc.
A3P250-1VQG100I
Microsemi Corporation
A3PN250-Z1VQG100
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C8N
Intel
5SGXEA5K3F35C2N
Intel
XC5VLX110T-2FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB3H4F35I3N
Intel
EP2AGX45DF29C6N
Intel