casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / C3D10060A
Número da peça de fabricante | C3D10060A |
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Número da peça futura | FT-C3D10060A |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Z-Rec® |
C3D10060A Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 30A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | 480pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-2 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-2 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C3D10060A Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | C3D10060A-FT |
SB170-T
Diodes Incorporated
SB180-T
Diodes Incorporated
SB190-T
Diodes Incorporated
UF1004-T
Diodes Incorporated
UF1005-T
Diodes Incorporated
UF1007-T
Diodes Incorporated
1N4001GL-T
Diodes Incorporated
1N4001L-T
Diodes Incorporated
1N4002GL-T
Diodes Incorporated
1N4002L-T
Diodes Incorporated
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel