casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / C2D20120D
Número da peça de fabricante | C2D20120D |
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Número da peça futura | FT-C2D20120D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Zero Recovery™ |
C2D20120D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 22A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C2D20120D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | C2D20120D-FT |
MBR40045CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR40045CTRL
GeneSiC Semiconductor
MBR60020CTL
GeneSiC Semiconductor
MBR60020CTRL
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MBR60030CTL
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MBR60030CTRL
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MBR60035CTL
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LFE2-12E-5T144I
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Microsemi Corporation
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