casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / C2D05120E-TR
Número da peça de fabricante | C2D05120E-TR |
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Número da peça futura | FT-C2D05120E-TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Zero Recovery™ |
C2D05120E-TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 17.5A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 5A |
Rapidez | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 0ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 200µA @ 1200V |
Capacitância @ Vr, F | 455pF @ 0V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-252-2 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C2D05120E-TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | C2D05120E-TR-FT |
B170-13
Diodes Incorporated
B180-13
Diodes Incorporated
B190-13
Diodes Incorporated
B220A-13
Diodes Incorporated
B230A-13
Diodes Incorporated
B240A-13
Diodes Incorporated
B260A-13
Diodes Incorporated
B330A-13
Diodes Incorporated
B340A-13
Diodes Incorporated
B350A-13
Diodes Incorporated
A1020B-2VQ80C
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-Z2VQG100
Microsemi Corporation
EP2C50F484C6N
Intel
EP4SGX290KF40I4N
Intel
XC6VHX250T-2FFG1154I
Xilinx Inc.
10AX090S4F45E3SG
Intel
10AX115H3F34I2LG
Intel
EP3CLS200F780C8
Intel