casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZY55B13 RYG
Número da peça de fabricante | BZY55B13 RYG |
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Número da peça futura | FT-BZY55B13 RYG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BZY55B13 RYG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 13V |
Tolerância | ±2% |
Potência - Max | 500mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 26 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 10V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 10mA |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0805 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZY55B13 RYG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZY55B13 RYG-FT |
1N3997A
Microsemi Corporation
1N3997RA
Microsemi Corporation
1N3999
Microsemi Corporation
1N3999A
Microsemi Corporation
1N4557B
Microsemi Corporation
1N4557RB
Microsemi Corporation
1N4558B
Microsemi Corporation
1N4558RB
Microsemi Corporation
1N4559B
Microsemi Corporation
1N4559RB
Microsemi Corporation
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel