casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZX384C18-HE3-08
Número da peça de fabricante | BZX384C18-HE3-08 |
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Número da peça futura | FT-BZX384C18-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BZX384C18-HE3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 18V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 200mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 45 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50nA @ 12.6V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SC-76, SOD-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-323 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX384C18-HE3-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZX384C18-HE3-08-FT |
BZX384B4V7-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B4V7-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B4V7-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B4V7-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B4V7-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B4V7-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B51-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B51-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B51-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX384B51-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S100E-4TQG144C
Xilinx Inc.
A54SX08-TQ144
Microsemi Corporation
XC2VP70-6FFG1517C
Xilinx Inc.
XC2VP4-6FG456C
Xilinx Inc.
EP2C35U484C6N
Intel
EP3C55F484C8
Intel
EP4CE22E22C6
Intel
5SGXEB5R2F43I2L
Intel
EP3SL340H1152C4
Intel
LFE2M50SE-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation