casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52C8V2-HE3-18
Número da peça de fabricante | BZT52C8V2-HE3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZT52C8V2-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C8V2-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 410mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 4.5 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 6V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOD-123 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-123 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C8V2-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZT52C8V2-HE3-18-FT |
BZT52C39-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C39-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C3V0-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4036XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
XC7S100-L1FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
M2GL025-1VFG400
Microsemi Corporation
XA6SLX16-3CSG225Q
Xilinx Inc.
AGLP125V2-CSG289I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H1F35I2N
Intel