casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52C6V2-G3-18
Número da peça de fabricante | BZT52C6V2-G3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZT52C6V2-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52C6V2-G3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolerância | ±5% |
Potência - Max | 410mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 4.8 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 100nA @ 2V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOD-123 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-123 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52C6V2-G3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZT52C6V2-G3-18-FT |
BZT52C2V4-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C2V4-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C2V7-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C2V7-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C2V7-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C2V7-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C2V7-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C30-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C30-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52C30-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-TQG64I
Microsemi Corporation
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XCKU5P-1FFVA676E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SEEBF45C4N
Intel
XC7VX485T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC1E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation