casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52B4V7-G3-18
Número da peça de fabricante | BZT52B4V7-G3-18 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BZT52B4V7-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BZT52B4V7-G3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
Tolerância | ±2% |
Potência - Max | 410mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 70 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOD-123 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-123 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B4V7-G3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZT52B4V7-G3-18-FT |
BZT52B16-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B16-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B16-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B16-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B16-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B18-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B18-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B18-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B20-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B20-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
XC2S100E-6PQ208C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-1VQG100M
Microsemi Corporation
10CL025YU256C6G
Intel
5SGXEA9N2F45C2LN
Intel
XC4013E-4HQ208I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160M
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation