casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZT52B4V7-E3-18
Número da peça de fabricante | BZT52B4V7-E3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZT52B4V7-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BZT52B4V7-E3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 4.7V |
Tolerância | ±2% |
Potência - Max | 410mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 70 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | - |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | SOD-123 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-123 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZT52B4V7-E3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZT52B4V7-E3-18-FT |
BZT52B15-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B16-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B16-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B16-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B16-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B16-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B16-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B18-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B18-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZT52B18-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2VP20-6FG676I
Xilinx Inc.
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
EP1SGX10DF672I6
Intel
EPF10K100AFC484-1
Intel
5SGXEA7N2F40C3
Intel
5SGXEBBR2H43C2L
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
A42MX24-3PQ160I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-50E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation