casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C82P-M3-18
Número da peça de fabricante | BZD27C82P-M3-18 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BZD27C82P-M3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27C-M |
BZD27C82P-M3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 82V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 62V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C82P-M3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27C82P-M3-18-FT |
BZD27C30P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C33P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C33P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C33P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C33P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C36P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C36P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C36P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C36P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C36P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX04-2VQG80
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD3400A-4CSG484I
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2FG484I
Microsemi Corporation
M2GL010TS-VFG256
Microsemi Corporation
A3PN030-Z2VQ100
Microsemi Corporation
10M16DAF256I7G
Intel
5SGXMA7N3F45C3
Intel
LFE2M20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX90FF1508C3
Intel