casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C82P-E3-18
Número da peça de fabricante | BZD27C82P-E3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZD27C82P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C82P-E3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 82V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 100 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 62V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C82P-E3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27C82P-E3-18-FT |
BZD27C30P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C30P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C30P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C30P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C30P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C33P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C33P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C33P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C33P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C36P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AGLN125V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5SGSMD3E3H29C4N
Intel
LFXP15C-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP4K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34I2LG
Intel
EP2C70F896C7N
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX230DF29I3N
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel