casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C6V8P-M-08
Número da peça de fabricante | BZD27C6V8P-M-08 |
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Número da peça futura | FT-BZD27C6V8P-M-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C6V8P-M-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 3 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 3V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C6V8P-M-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27C6V8P-M-08-FT |
BZD27C4V7P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
XCV200E-7FG456I
Xilinx Inc.
AX250-FGG484I
Microsemi Corporation
EP20K300EFC672-1X
Intel
EP4CE40F23A7N
Intel
10M16DCF256C8G
Intel
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMA3K2F35C1N
Intel
A54SX16A-1TQG100M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME1H2F35C3N
Intel