casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C6V2P-M-08
Número da peça de fabricante | BZD27C6V2P-M-08 |
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Número da peça futura | FT-BZD27C6V2P-M-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C6V2P-M-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 6.2V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 3 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 2V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C6V2P-M-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27C6V2P-M-08-FT |
BZD27C4V7P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C4V7P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C51P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C56P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
M2GL025-VF400
Microsemi Corporation
EP4CGX30BF14C8N
Intel
XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-CS281
Microsemi Corporation
A42MX09-3PQG160
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-9400E-6MG256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VRC240-1N
Intel