casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C4V3P-HE3-08
Número da peça de fabricante | BZD27C4V3P-HE3-08 |
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Número da peça futura | FT-BZD27C4V3P-HE3-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C4V3P-HE3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 4.3V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 25µA @ 1V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C4V3P-HE3-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27C4V3P-HE3-08-FT |
BZD27C130P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C130P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C130P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C130P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C150P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S300E-6PQG208C
Xilinx Inc.
A3P250-1PQG208
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-256ZE-2SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC7D6F27C7N
Intel
EP3C40F484C8N
Intel
XC4VLX100-11FFG1148C
Xilinx Inc.
A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
10AX115S3F45I2SGES
Intel
5AGXBA7D4F35C5N
Intel