casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C180P-HE3-08

| Número da peça de fabricante | BZD27C180P-HE3-08 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-BZD27C180P-HE3-08 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
| BZD27C180P-HE3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 180V |
| Tolerância | - |
| Potência - Max | 800mW |
| Impedância (Max) (Zzt) | 400 Ohms |
| Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 130V |
| Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
| Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote / caso | DO-219AB |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BZD27C180P-HE3-08 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | BZD27C180P-HE3-08-FT |

BZD27B6V2P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B6V2P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B6V2P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B6V8P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B6V8P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B6V8P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B6V8P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B6V8P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B6V8P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division

BZD27B75P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

XC2V8000-5FFG1517I
Xilinx Inc.

XC3S200A-5VQ100C
Xilinx Inc.

M1A3P1000-1FGG484
Microsemi Corporation

M2GL010-1FG484I
Microsemi Corporation

A3P030-VQG100I
Microsemi Corporation

AT40K05LV-3DQI
Microchip Technology

EPF10K50SFC256-2
Intel

5SGXEA7K3F40I3
Intel

LFE2M70E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation

10AX090N4F45E3SG
Intel