casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C16P-E3-08
Número da peça de fabricante | BZD27C16P-E3-08 |
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Número da peça futura | FT-BZD27C16P-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27C |
BZD27C16P-E3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 16V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 12V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C16P-E3-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27C16P-E3-08-FT |
MMSZ5261C-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261C-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261C-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261C-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5261C-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262B-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262B-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262B-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262B-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMSZ5262B-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XA6SLX25-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3P125-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100SE-6FN1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125DF25C5
Intel
5SGXEABN3F45C2N
Intel
XC7VX485T-1FFG1157C
Xilinx Inc.
LCMXO2-2000ZE-2BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090S2F45E1SG
Intel
5AGXFA5H6F35C6N
Intel
EP4SGX180HF35C2
Intel