casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27C100P RTG
Número da peça de fabricante | BZD27C100P RTG |
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Número da peça futura | FT-BZD27C100P RTG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BZD27C100P RTG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 100V |
Tolerância | ±6% |
Potência - Max | 1W |
Impedância (Max) (Zzt) | 200 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 75V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Sub SMA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27C100P RTG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27C100P RTG-FT |
BZT52B4V7-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B10-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B11-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B12-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B13-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B15-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B16-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B18-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B20-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
BZT52B22-G RHG
Taiwan Semiconductor Corporation
XA3S50-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AGLN030V2-ZVQG100I
Microsemi Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-4FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-3BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F40I2SG
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel
EP4SGX70DF29C4N
Intel
EP1S25F780C7N
Intel
EP20K60EQC208-1X
Intel