casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B9V1P-HE3-18
Número da peça de fabricante | BZD27B9V1P-HE3-18 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BZD27B9V1P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B9V1P-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 4 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 5V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B9V1P-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27B9V1P-HE3-18-FT |
BZD27B43P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B43P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B43P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B43P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B47P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B47P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B47P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B47P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B47P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B47P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-FTQ144
Microsemi Corporation
XC2S100E-6PQ208C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200HC-5SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16P-1VQG100M
Microsemi Corporation
10CL025YU256C6G
Intel
5SGXEA9N2F45C2LN
Intel
XC4013E-4HQ208I
Xilinx Inc.
A42MX16-PQ160M
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation