casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B8V2P-E3-18
Número da peça de fabricante | BZD27B8V2P-E3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZD27B8V2P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B8V2P-E3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 8.2V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 2 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 3V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B8V2P-E3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27B8V2P-E3-18-FT |
BZD27B39P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V6P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V9P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V9P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V9P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V9P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-640HC-4SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6N
Intel
10M40DCF484C7G
Intel
10M50DCF484I6G
Intel
EPF10K50SFC484-1
Intel
10M40SCE144I7G
Intel
5SGSED8N2F45I2L
Intel
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF35C4N
Intel