casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B4V3P-HE3-18
Número da peça de fabricante | BZD27B4V3P-HE3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZD27B4V3P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B4V3P-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 4.3V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 7 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 25µA @ 1V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B4V3P-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27B4V3P-HE3-18-FT |
BZD27B15P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B15P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B15P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B160P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B160P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B160P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B160P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B160P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B160P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B16P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
M1A3PE3000L-1FG484M
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-5BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20AF256I8N
Intel
EPF6016AFC256-3
Intel
5SGXMA3E3H29C2LN
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC7A75T-2CSG324C
Xilinx Inc.
LCMXO3L-2100E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation