casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B10P-HE3-18
Número da peça de fabricante | BZD27B10P-HE3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZD27B10P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B10P-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 4 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 7µA @ 7.5V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B10P-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27B10P-HE3-18-FT |
BZD27C8V2P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C110P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C27P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C68P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C82P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C100P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C100P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C10P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
EX128-TQG64I
Microsemi Corporation
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XCKU5P-1FFVA676E
Xilinx Inc.
M1AFS1500-1FGG484I
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
5CGXFC4F6M11C7N
Intel
5SEEBF45C4N
Intel
XC7VX485T-2FFG1158C
Xilinx Inc.
LFEC1E-4QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4MN100I
Lattice Semiconductor Corporation