casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD27B10P-HE3-18
Número da peça de fabricante | BZD27B10P-HE3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZD27B10P-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, BZD27B |
BZD27B10P-HE3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | 4 Ohms |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 7µA @ 7.5V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -65°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD27B10P-HE3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD27B10P-HE3-18-FT |
BZD27C8V2P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C110P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C13P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C27P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C3V6P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C68P-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C82P-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C100P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C100P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C10P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
AFS600-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LM4K-SWG25TR
Lattice Semiconductor Corporation
10M04SFE144I7G
Intel
EP4SGX530KF43C2N
Intel
XC2V1500-6FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX09-1PLG84
Microsemi Corporation
10AX090N2F45E1SG
Intel
EP1S60B956I7
Intel
EP20K400BC652-2AA
Intel