casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD17C30P-E3-18
Número da peça de fabricante | BZD17C30P-E3-18 |
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Número da peça futura | FT-BZD17C30P-E3-18 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BZD17C30P-E3-18 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 30V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 22V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C30P-E3-18 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD17C30P-E3-18-FT |
BZD27C30P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C68P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C68P-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C6V2P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C12P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C15P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B110P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B200P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B4V7P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C110P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-256ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4036XL-3HQ304I
Xilinx Inc.
XC7S100-L1FGGA484I
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
M2GL025-1VFG400
Microsemi Corporation
XA6SLX16-3CSG225Q
Xilinx Inc.
AGLP125V2-CSG289I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4H1F35I2N
Intel