casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Zener - Single / BZD17C18P-E3-08
Número da peça de fabricante | BZD17C18P-E3-08 |
---|---|
Número da peça futura | FT-BZD17C18P-E3-08 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BZD17C18P-E3-08 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tensão - Zener (Nom) (Vz) | 18V |
Tolerância | - |
Potência - Max | 800mW |
Impedância (Max) (Zzt) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 13V |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 200mA |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-219AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-219AB (SMF) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZD17C18P-E3-08 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BZD17C18P-E3-08-FT |
BZD27C6V8P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C27P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C5V6P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C39P-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C15P-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD17C24P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B3V9P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27B6V2P-M3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C100P-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZD27C110P-M3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S400AN-4FT256C
Xilinx Inc.
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP3SE50F484C4N
Intel
M1AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I2SG
Intel
5AGXMB7G6F35C6N
Intel