casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYW82-TAP
Número da peça de fabricante | BYW82-TAP |
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Número da peça futura | FT-BYW82-TAP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYW82-TAP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Avalanche |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Atual - Média Retificada (Io) | 3A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1V @ 3A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 7.5µs |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 200V |
Capacitância @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | SOD-64, Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-64 |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYW82-TAP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYW82-TAP-FT |
LL4150GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4151-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4151-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4151-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4154-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4154-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4154-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL4154-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL42-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LL42-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
Intel
5SGXEA9K2H40C2LN
Intel
5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
Intel
EP1S60F1020C6N
Intel