casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BYW51G-200-TR
Número da peça de fabricante | BYW51G-200-TR |
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Número da peça futura | FT-BYW51G-200-TR |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYW51G-200-TR Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 8A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 35ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 15µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYW51G-200-TR Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYW51G-200-TR-FT |
BAT30-07P6FILM
STMicroelectronics
BAT30-09P6FILM
STMicroelectronics
BAT41-07P6FILM
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BAT41-09P6FILM
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BAT54-07P6FILM
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BAT54-09P6FILM
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BAS70-08SFILM
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BAS70-05WFILM
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BAT54SWFILMY
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BAT54SFILM
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LCMXO1200C-4T144C
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XC6SLX75T-2FG484I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG256
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Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
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EP2S15F484C4
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10M40DCF256C7G
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5SGXEB5R2F43I2L
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EP4SGX230DF29C3NES
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