casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BYVF32-100HE3/45
Número da peça de fabricante | BYVF32-100HE3/45 |
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Número da peça futura | FT-BYVF32-100HE3/45 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYVF32-100HE3/45 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 18A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 20A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 25ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ITO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYVF32-100HE3/45 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYVF32-100HE3/45-FT |
GSD2004S-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004S-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004S-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
GSD2004S-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
MMBD7000-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFECP6E-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484I4N
Intel
5CEBA2F17C7N
Intel
XC7K70T-3FBG484E
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB7H4F35I5
Intel
EP4CE115F29I7N
Intel
EP3SL70F780C4
Intel
10AX032E1F27I1HG
Intel
EP20K200EQI208-3
Intel