casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BYVB32-100-E3/81
Número da peça de fabricante | BYVB32-100-E3/81 |
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Número da peça futura | FT-BYVB32-100-E3/81 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYVB32-100-E3/81 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 18A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 20A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 25ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYVB32-100-E3/81 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYVB32-100-E3/81-FT |
V20DM60CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM150C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM45C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM45CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V30DM60CLHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40D100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40D100CHM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V40DM100C-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX45-3FGG676C
Xilinx Inc.
A42MX36-FPQ240
Microsemi Corporation
A1425A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2C8F256C7N
Intel
EP4CE22E22C6N
Intel
XC7K480T-2FFG901C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090H2F34I2SG
Intel
EP4CE75F29C9LN
Intel
EPF10K100EQC240-2N
Intel