casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BYV541V-200
Número da peça de fabricante | BYV541V-200 |
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Número da peça futura | FT-BYV541V-200 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYV541V-200 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Configuração de diodo | 2 Independent |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 50A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 50A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 60ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | ISOTOP |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | ISOTOP® |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV541V-200 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYV541V-200-FT |
MBRS2535CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS10100HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS10150HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS1020HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS1030HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS1040HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS1050HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
SRS1060HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS10100CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation
MBRS10100CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation
XC3S1400A-4FGG676C
Xilinx Inc.
AGLN060V2-CSG81
Microsemi Corporation
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
5SGXEA7H3F35I3LN
Intel
EP4SE820H35C3N
Intel
XC5VLX110-2FFG1153I
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FFG896I
Xilinx Inc.
XC7A25T-1CPG238I
Xilinx Inc.
EP1S20F780C5N
Intel
EP1S30F780C5N
Intel