casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BYV410X-600,127
Número da peça de fabricante | BYV410X-600,127 |
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Número da peça futura | FT-BYV410X-600,127 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYV410X-600,127 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 2.1V @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 35ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50µA @ 600V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV410X-600,127 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYV410X-600,127-FT |
SBRB2545CTG
ON Semiconductor
NTSB30120CTG
ON Semiconductor
MBRB3030CTLG
ON Semiconductor
NTSB20100CTT4G
ON Semiconductor
NTSB40100CTG
ON Semiconductor
MURHB860CTT4G
ON Semiconductor
NRVBB41H100CTT4G
ON Semiconductor
NTSB30100CTT4G
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MBRB20200CTT4G
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MBRB20100CTG
ON Semiconductor
LCMXO2-1200ZE-1TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4005E-4PQ208I
Xilinx Inc.
M2GL090-1FCSG325I
Microsemi Corporation
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel