casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BYV34X-600,127
Número da peça de fabricante | BYV34X-600,127 |
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Número da peça futura | FT-BYV34X-600,127 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYV34X-600,127 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 20A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.36V @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 60ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 50µA @ 600V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV34X-600,127 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYV34X-600,127-FT |
MBRB2535CTLG
ON Semiconductor
NTSB20100CTG
ON Semiconductor
SBRB2545CTG
ON Semiconductor
NTSB30120CTG
ON Semiconductor
MBRB3030CTLG
ON Semiconductor
NTSB20100CTT4G
ON Semiconductor
NTSB40100CTG
ON Semiconductor
MURHB860CTT4G
ON Semiconductor
NRVBB41H100CTT4G
ON Semiconductor
NTSB30100CTT4G
ON Semiconductor
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel