casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BYV32E-200,127
Número da peça de fabricante | BYV32E-200,127 |
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Número da peça futura | FT-BYV32E-200,127 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYV32E-200,127 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 20A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 20A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 25ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 30µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | 150°C (Max) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV32E-200,127 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYV32E-200,127-FT |
RB085T-40
Rohm Semiconductor
RB085T-90
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Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1500-5FGG320C
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ICE40UP3K-UWG30ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP1SGX10DF672C7N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
M1AGL1000V2-FG144I
Microsemi Corporation
EP3C55F780I7N
Intel