casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BYV32-50-E3/45
Número da peça de fabricante | BYV32-50-E3/45 |
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Número da peça futura | FT-BYV32-50-E3/45 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYV32-50-E3/45 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 18A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.15V @ 20A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 25ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 50V |
Temperatura de funcionamento - junção | -65°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV32-50-E3/45 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYV32-50-E3/45-FT |
MBR2090CT-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR2545CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
MBR3045CT-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10150C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V10170C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120C-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20120C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20150C-M3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
V20200G-E3/4W
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-12E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD1800A-4CS484C
Xilinx Inc.
EP3SE50F484I4
Intel
10M08DCV81C8G
Intel
5SGXMB6R1F43C2LN
Intel
5SGXMA5K3F35I3LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157C
Xilinx Inc.
A42MX16-3PL84
Microsemi Corporation
A40MX04-1PQ100
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation