casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYV10ED-600PJ
Número da peça de fabricante | BYV10ED-600PJ |
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Número da peça futura | FT-BYV10ED-600PJ |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYV10ED-600PJ Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 10A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 2V @ 10A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 50ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DPAK |
Temperatura de funcionamento - junção | 175°C (Max) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYV10ED-600PJ Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYV10ED-600PJ-FT |
APD360VPTR-E1
Diodes Incorporated
APD360VPTR-G1
Diodes Incorporated
APD360VRTR-G1
Diodes Incorporated
APT30SCD65B
Microsemi Corporation
AS3BD-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BD-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BDHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BG-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
AS3BG-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel