casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / BYQ28EB-200HE3/81
Número da peça de fabricante | BYQ28EB-200HE3/81 |
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Número da peça futura | FT-BYQ28EB-200HE3/81 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYQ28EB-200HE3/81 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 25ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 10µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYQ28EB-200HE3/81 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYQ28EB-200HE3/81-FT |
VS-MBRB2090CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2090CTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2535CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2535CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2535CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2545CT-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2545CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB2545CTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-MBRB3030CTL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFEC1E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCS30XL-4PQ208I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P030-1QNG48
Microsemi Corporation
A3P1000-1FG256T
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
5SGXMA5K3F35C3N
Intel
10AX016E3F27I2LG
Intel
10AX016E3F27E1SG
Intel
EPF8636AQC160-2
Intel