casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BYM300B170DN2HOSA1
Número da peça de fabricante | BYM300B170DN2HOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BYM300B170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYM300B170DN2HOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | 2 Independent |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 40A |
Potência - Max | 20mW |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.55V @ 15V, 25A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 40µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 2.8nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM300B170DN2HOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYM300B170DN2HOSA1-FT |
APTGT75DH60TG
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APTGT75DSK60T3G
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APTGT75SK120D1G
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APTGT75SK120T1G
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APTGT75SK170D1G
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APTGT75SK60T1G
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APTGT75TA60PG
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APTGV100H60BTPG
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APTGV100H60T3G
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APTGV15H120T3G
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