casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Módulos / BYM300B170DN2HOSA1
Número da peça de fabricante | BYM300B170DN2HOSA1 |
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Número da peça futura | FT-BYM300B170DN2HOSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYM300B170DN2HOSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configuração | 2 Independent |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 650V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 40A |
Potência - Max | 20mW |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 1.55V @ 15V, 25A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 40µA |
Capacitância de Entrada (Cies) @ Vce | 2.8nF @ 25V |
Entrada | Standard |
Termistor NTC | Yes |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM300B170DN2HOSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYM300B170DN2HOSA1-FT |
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK170D1G
Microsemi Corporation
APTGT75SK60T1G
Microsemi Corporation
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation
APTGV100H60T3G
Microsemi Corporation
APTGV15H120T3G
Microsemi Corporation
XC4010XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2FGG676I
Xilinx Inc.
A3PN030-Z2VQ100
Microsemi Corporation
AT40K40-2DQC
Microchip Technology
EP20K300EFC672-2
Intel
5CEFA7F27C7N
Intel
10CL055ZF484I8G
Intel
EP3CLS70F484C8N
Intel
AX1000-2FG676I
Microsemi Corporation
A3P250-FGG144
Microsemi Corporation