casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYM13-30HE3/96
Número da peça de fabricante | BYM13-30HE3/96 |
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Número da peça futura | FT-BYM13-30HE3/96 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BYM13-30HE3/96 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 1A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 30V |
Capacitância @ Vr, F | 110pF @ 4V, 1MHz |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-213AB, MELF |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | GL41 (DO-213AB) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 125°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM13-30HE3/96 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYM13-30HE3/96-FT |
BAS19-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS19-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS20-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAS21-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel