casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYG24JHE3_A/H
Número da peça de fabricante | BYG24JHE3_A/H |
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Número da peça futura | FT-BYG24JHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BYG24JHE3_A/H Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Avalanche |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 1.5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 140ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 600V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG24JHE3_A/H Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYG24JHE3_A/H-FT |
EGP31B-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31B-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31C-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31C-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31D-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31D-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31F-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31F-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31G-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP31G-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel