casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / BYG21MHE3_A/H
Número da peça de fabricante | BYG21MHE3_A/H |
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Número da peça futura | FT-BYG21MHE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101 |
BYG21MHE3_A/H Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Avalanche |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Atual - Média Retificada (Io) | 1.5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 1.5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 120ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 1µA @ 1000V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-214AC, SMA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | DO-214AC (SMA) |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYG21MHE3_A/H Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BYG21MHE3_A/H-FT |
FR6A02
GeneSiC Semiconductor
JANTX1N5551
Microsemi Corporation
STBR3012G2Y-TR
STMicroelectronics
RHRP15120-F102
ON Semiconductor
RHRP30120-F102
ON Semiconductor
1N5550C.TR
Semtech Corporation
1N5616C.TR
Semtech Corporation
1N5620C.TR
Semtech Corporation
VS-APH3006L-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N5618US
Microsemi Corporation
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
XA3SD1800A-4CSG484Q
Xilinx Inc.
A3PE1500-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4
Intel
EP4CE115F23C9L
Intel
EP3SE80F1152C3
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
EP2SGX30CF780C5N
Intel
EP4SGX230FF35C4N
Intel